Tại một hội nghị bán dẫn ở Thượng Hải, Huawei cho biết đã có tiến triển trong việc tự phát triển công nghệ chế tạo vi mạch, với mục tiêu đến năm 2031 đạt năng lực tương đương quy trình 1,4 nm mà TSMC dự kiến triển khai.
Huawei nói gì về hướng đi vi mạch thế hệ mới
Các lệnh trừng phạt của Mỹ được cho là đã chặn Huawei tiếp cận những hệ thống quang khắc và máy móc tiên tiến cần thiết để làm vi mạch thế hệ mới. Điều này khiến Huawei bị tụt lại so với các đối thủ trong vài năm qua. Dù vậy, tập đoàn công nghệ Trung Quốc vẫn khẳng định có thể phát triển vi mạch mà không phụ thuộc vào các công ty ở nước ngoài.
Thông tin mới được nêu ra tại hội nghị ISCAS 2026 của Hiệp hội Kỹ sư Điện và Điện tử (IEEE) tổ chức ở Thượng Hải. Tại đây, bà He Tingbo, Chủ tịch bộ phận kinh doanh bán dẫn của Huawei, chia sẻ một số điểm liên quan tới tiến bộ về vi mạch của công ty.
“Thiết kế gập logic” và kế hoạch đưa lên vi mạch Kirin
Một trong những công bố đáng chú ý là công nghệ có tên “Thiết kế gập logic”. Thay vì giữ nguyên cụm từ tiếng Anh, có thể hiểu đây là “thiết kế gập logic”, hướng tới mục tiêu tăng mật độ bóng bán dẫn và cải thiện hiệu quả năng lượng. Nói đơn giản, nếu làm được như Huawei mô tả, cùng một diện tích vi mạch có thể “nhồi” được nhiều phần tử xử lý hơn và tiêu thụ điện hiệu quả hơn, từ đó giúp thiết bị vừa mạnh hơn vừa đỡ nóng và tiết kiệm pin hơn.
Huawei cũng xác nhận các bộ xử lý di động Kirin thế hệ tiếp theo sẽ là những vi mạch thương mại đầu tiên áp dụng kiểu thiết kế này.
Mục tiêu 1,4 nm vào năm 2031 và bài toán quang khắc
Tuyên bố lớn nhất của Huawei tại sự kiện là đặt mục tiêu phát triển năng lực quang khắc tương đương với quy trình 1,4 nm tiên tiến của TSMC vào năm 2031. Tuy nhiên, Huawei không chia sẻ chi tiết cách sẽ hiện thực hóa mục tiêu vốn được xem là cực kỳ khó trong ngành bán dẫn.
Do bị hạn chế tiếp cận thiết bị từ ASML vì các quy định của Mỹ, Huawei có thể phải dựa vào hệ thống quang khắc tử ngoại cực tím do doanh nghiệp Trung Quốc SiCarrier phát triển. SiCarrier được nhắc tới như một trong những công ty đang theo đuổi mục tiêu trở thành lựa chọn thay thế trực tiếp cho thiết bị quang khắc tử ngoại cực tím của ASML.
Trang Wccftech đưa ra nhận định rằng Huawei có thể đã đầu tư số tiền rất lớn vào SiCarrier để hỗ trợ phát triển máy móc quang khắc tử ngoại cực tím. Trong nửa đầu năm 2025, SiCarrier được cho là đã tìm kiếm 2,8 tỷ USD vốn huy động. Hiện chưa có xác nhận Huawei có tham gia vòng huy động này hay không, nhưng bài viết cho rằng khả năng xảy ra là cao.
Dù Huawei thể hiện sự tự tin với mốc 2031, việc triển khai thực tế vẫn là phần khó nhất trong lĩnh vực bán dẫn, nơi các mục tiêu công nghệ thường đòi hỏi thời gian dài và nguồn lực rất lớn để biến thành sản phẩm và dây chuyền ổn định.
Nguồn: GenK